New Southbound Policy Portal

กระทรวงศึกษาธิการ วันที่ 12 ก.ย. 68
 
เมื่อวันที่ 11 กันยายน 2568 นายเหยาจินเสียง ผู้แทนรัฐบาลไต้หวันประจำอังกฤษ และ Ms. Ruth Bradley-Jones ผู้อำนวยการใหญ่ของสำนักงานตัวแทนรัฐบาลอังกฤษประจำไทเป (British Office Taipei) ร่วมลงนาม “บันทึกความเข้าใจว่าด้วยโครงการร่วมบ่มเพาะบุคลากรด้านเซมิคอนดักเตอร์ ระหว่างไต้หวัน -  อังกฤษ” (Taiwan-UK Memorandum of Understanding on the Semiconductor Joint Skills Project) ในรูปแบบไฮบริด ผ่านระบบวิดีโอคอนเฟอเรนซ์และสถานที่จริงที่จัดขึ้น ณ กระทรวงการต่างประเทศของไต้หวัน ภายใต้การเป็นสักขีพยานของนายอู๋จื้อจง รัฐมนตรีช่วยว่าการกระทรวงการต่างประเทศไต้หวัน (MOFA) และ Dr. Dave Smith ที่ปรึกษาทางเทคโนโลยีแห่งชาติของกระทรวงวิทยาศาสตร์ นวัตกรรมและเทคโนโลยีของอังกฤษ (DSIT) เพื่อสะท้อนให้เห็นถึงวิสัยทัศน์ร่วมกัน ในด้านการฝึกอบรมและการแลกเปลี่ยนบุคลากรด้านเซมิคอนดักเตอร์
 
รมช.อู๋ฯ กล่าวขณะปราศรัยว่า นับเป็นครั้งที่ 3 ของปีนี้ที่ DSIT นำคณะตัวแทนเดินทางเยือนไต้หวัน เพื่อเข้าร่วมมหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งที่ผ่านมา เจ้าหน้าที่ทั้งสองฝ่าย ต่างมุ่งมั่นสร้างปฏิสัมพันธ์กันอย่างใกล้ชิดในส่วนที่เกี่ยวข้อง จนปัจจุบัน หน่วยงานภาครัฐของทั้งสองฝ่ายต่างมุ่งเน้นไปที่การแลกเปลี่ยนและการฝึกอบรมทางบุคลากรทางเทคโนโลยี จึงได้มีการจัดพิธีลงนามบันทึกความเข้าใจทางความร่วมมือกันในครั้งนี้ เนื่องด้วยทั้งสองฝ่ายมีข้อได้เปรียบทางอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ที่สามารถเอื้อประโยชน์แก่กัน ความร่วมมือกันในครั้งนี้จึงนับว่ามีนัยยะที่สำคัญยิ่งต่อความสัมพันธ์แบบทวิภาคี
 
ผู้แทนเหยาฯ กล่าวว่า หลังจากที่ไต้หวัน – อังกฤษได้ร่วมลงนามข้อตกลง 3 ประการ ภายใต้ “ความตกลงว่าด้วยการเสริมสร้างความสัมพันธ์เชิงหุ้นส่วนทางการค้า” (Enhanced Trade Partnership, ETP) ไปเมื่อเดือนมิถุนายนที่ผ่านมา การลงนามบันทึกความเข้าใจระหว่างกันในครั้งนี้ ก็เพื่อวัตถุประสงค์ในการจัดตั้งกลไกการแลกเปลี่ยนไปมาหาสู่กันของบุคลากรด้านเซมิคอนดักเตอร์แบบทวิภาคี เชื่อว่าจะมีส่วนช่วยในการพัฒนาเศรษฐกิจแบบทวิภาคี รวมไปถึงประชาธิปไตย และความยืดหยุ่นของห่วงโซ่อุปทานด้านเซมิคอนดักเตอร์
 
Dr. Smith กล่าวว่า ขณะนี้ ทั่วโลกต่างกำลังเผชิญหน้ากับภาวะการขาดแคลนบุคลากร จึงหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะเห็นทั้งสองฝ่ายมุ่งเสริมสร้างความเชื่อมโยงทางบุคลากร และสร้างค่านิยมร่วมกัน เนื่องด้วยไต้หวันมีศักยภาพการผลิตด้วยเทคโนโลยีที่แกร่งกล้า ซึ่งสามารถเสริมสร้างความครอบคลุมให้แก่ภาคอุตสาหกรรมได้ เมื่อนำไปผนวกเข้ากับข้อได้เปรียบด้านการผลิตคิดค้นทางนวัตกรรมของอังกฤษ โดยในอนาคต พวกเราจะกระชับความร่วมมือกัน ทั้งในด้านสารกึ่งตัวนำแบบผสม (Compound Semiconductor) ซิลิคอนโฟโตนิกส์ (Silicon Photonics) และเทคโนโลยีควอนตัม (Quantum Technology) นอกจากนี้  ผอญ. Ruth ยังเน้นย้ำว่า โครงการข้างต้นนี้ถือเป็นกรณีต้นแบบของการลงนามบันทึกความเข้าใจว่าด้วยความร่วมมือด้านการบ่มเพาะบุคลากรด้านเซมิคอนดักเตอร์ ระหว่างไต้หวันและกลุ่มประเทศในทวีปยุโรป อันจะเป็นการส่งมอบอานิสงส์ให้แก่เยาวชนและภาคอุตสาหกรรมของทั้งสองฝ่าย ในภายภาคหน้าต่อไป
 
กต.ไต้หวันจะส่งเสริมความร่วมมือทางเทคโนโลยี ระหว่างไต้หวัน – อังกฤษ อย่างเป็นรูปธรรม ภายใต้บันทึกความเข้าใจฉบับข้างต้น และการผนึกกำลังระหว่างหน่วยงานที่เกี่ยวข้องภายในประเทศ ตลอดจนร่วมสร้างห่วงโซ่อุปทานทางเทคโนโลยีที่มีความยืดหยุ่น ภายใต้พื้นฐานค่านิยม เพื่อมุ่งมั่นในการบรรลุหลักการ “การทูตเชิงบูรณาการ” ตามแนวทาง “แผนริเริ่มหุ้นส่วนห่วงโซ่อุปทานด้านเซมิคอนดักเตอร์” ที่ยื่นเสนอโดยประธานาธิบดีไล่ชิงเต๋อ ผู้นำไต้หวัน